专利详情

专利名称	一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统
申请号	CN201210359731.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102867096A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹明会;陈岚;赵劼
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统至一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统。其中，方法包括：接收大面积金属及金属孔的尺寸数据，以及金属孔的行间距、列间距数据；根据大面积金属及金属孔的尺寸数据，以及金属孔的行间距、列间距数据，确定金属孔的行数和列数；根据金属孔的行数和列数，以及大面积金属及金属孔的尺寸数据，获得金属孔的行间距修正值及列间距修正值，修正金属孔的行间距、列间距数据；根据大面积金属及金属孔的尺寸数据，以及金属孔的行间距修正值及列间距修正值，生成金属打孔模板；按照金属打孔模板对大面积金属进行打孔。本发明能够克服金属打孔过程中产生的电流分布不均等问题。