专利详情

专利名称	一种采用自对准成型制备三维纳米空间电极的方法
申请号	CN201110312686.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102320566A	公开（授权）日	2012.01.18
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	崔阿娟;李无瑕;罗强;顾长志
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	一种采用自对准成型制备三维纳米空间电极的方法至一种采用自对准成型制备三维纳米空间电极的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用自对准成型制备三维纳米空间电极的方法，包括：将样品固定于衬底上，衬底固定于样品托上，将固定有样品及衬底的样品托放置于电子束/离子束双束设备真空腔内的样品台上；采用电子显微镜在样品上找到特定纳米结构，然后采用聚焦离子束或电子束辅助沉积技术在样品上生长与衬底成一定夹角的铂纳米线；采用热退火方式对制备的铂纳米线进行形变操作；以及生长电极接触块或连线，得到三维纳米空间电极。本发明的制备方法基于聚焦离子束/电子束辅助沉积的铂纳米线经过热退火后规律形变的现象来制备不位于支撑衬底平面内的微纳结构，具有灵活性好，可控性高的特点。