专利详情

专利名称	高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法
申请号	CN201110253414.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102320593A	公开（授权）日	2012.01.18
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	侯鹏翔;于冰;刘畅;成会明
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法至高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法，以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体，在高的氢气载气流量下，生长出高抗氧化性碳纳米管，同时通过调控加入硫生长促进剂的量，实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长，获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管，单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90％以上，单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃。本发明获得结晶度高、结构缺陷少、纯度高的单/双壁碳纳米管，具有优异的导电性、高弹性、高强度等特性，可望在透明导电薄膜及其相关器件上获得应用。