专利详情

专利名称	零磁通霍尔大电流传感器的结构
申请号	CN201210335006.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102866282A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院等离子体物理研究所	发明（设计）人	王林森;王付胜
主分类号	G01R19/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R19/00(2006.01)I
专利有效期	零磁通霍尔大电流传感器的结构至零磁通霍尔大电流传感器的结构	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种霍尔零磁通大电流传感器的结构，包括有上半部结构、下半部结构、连接部结构，连接部结构包括有相同的上安装板、下安装板，上半部结构包括有两块叠加的铝板，上部的铝板的两端分别开有圆孔，下部的铝板的四周设有多个与上安装板上的攻丝孔一对应的攻丝孔三，下部的铝板与两个上安装板通过穿过攻丝孔一、攻丝孔三的螺钉固定，下半部结构包括有U形铝板，U形铝板的两个顶端的四周分别设有与下安装板上的攻丝孔二对应的攻丝孔四，U形铝板的两个顶端与两个下安装板通过穿过攻丝孔二、攻丝孔四的螺钉固定，上安装板、下安装板通过穿过挂耳上的孔的螺栓紧固。通过本发明的结构模式，通过调整中间的连接机构，非常容易调整磁芯的位置。