专利详情

专利名称	利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法
申请号	CN200810042459.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101350298	公开（授权）日	2009.01.21
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王新中;于广辉;林朝通;曹明霞;巩航;齐鸣;李爱珍
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法至利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO₂、SiO或Si_xN_y等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外延之前，先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着往孔中注入点阵结构的介质，然后去除AAO，则模板上得到了均匀分布的SiO₂纳米粒子的点阵结构，最后将模板置于反应腔内外延生长。由于气相外延的选择性，将开始选择生长在SiO₂ 等点阵外的区域上，最后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。降低了外延层的位错密度，且位错密度均匀分布，大大提高厚膜的可利用性。方法简单易行，省略了光刻的复杂工艺，且将掩模尺寸缩小到纳米量级，适于批量生产。