专利详情

专利名称	一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
申请号	CN200810042296.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101350360	公开（授权）日	2009.01.21
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法至一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，所述三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置包括如下结构：衬底、逻辑电路、底层字线阵列、至少一层存储层、位线阵列；所述衬底的一侧依次设有逻辑电路、底层字线阵列，所述至少一层存储层依次堆叠于所述底层字线阵列背对所述逻辑电路的一侧。本发明装置可实现高密度的存储方案。