专利详情

专利名称	双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅
申请号	CN200710119199.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101350371	公开（授权）日	2009.01.21
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;王科;任刚;杜晓宇;邢名欣;陈良惠
主分类号	H01L31/0232(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0232(2006.01)I;G02F1/35(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I
专利有效期	双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅至双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和一金属盖层；其中，所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔，且孔内填充与顶部金属盖层相同的材料；所述金属盖层覆盖在所述二维光子晶体结构上。利用本发明，简化了红外焦平面的制作工艺，提高了对两种波段的耦合效率。