
用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作及检测方法
- 申请号:CN201110148268.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN102323314A
- 公开(公开)日:2012.01.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作及检测方法 | ||
申请号 | CN201110148268.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102323314A | 公开(授权)日 | 2012.01.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 金庆辉;刘德盟;金妍;赵建龙 |
主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
专利有效期 | 用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作及检测方法 至用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作及检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作和检测方法,其特征在于金微阵列电极的制作机器镀铋工艺,镀铋工艺采用0.015mol/LBi(NO3)3·5H2O+1mol/L?KNO3+1%HNO3电镀重金属时加入磁力搅拌提高电镀效率。用于重金属检测是以上述微阵列电极作为溶出伏安法的工作电极构架成重金属检测的传感器,配置液,设定伏安法参数值,完成中对铅、镉或镍的重金属检测,灵敏度可达国家饮用水标准。 |
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