利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法
- 申请号：CN201110185710.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号：CN102320553A
- 公开(公开)日：2012.01.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 | ||
| 申请号 | CN201110185710.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102320553A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 段宣明;陈述;曹洪忠;韩伟华;颜伟;张严波;董贤子;杨富华;赵震声 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B23K26/36(2006.01)I |
| 专利有效期 | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 至利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上涂敷光刻胶形成光刻胶层；用激光束照射所述光刻胶，通过激光双光子吸收效应对所述光刻胶的指定位置进行曝光；对所述光刻胶进行显影；将所得到的光刻胶层的图形转移到衬底上。 | ||
交易流程
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专利 -
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