专利详情

专利名称	大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法
申请号	CN201110283050.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102324436A	公开（授权）日	2012.01.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张雨溦;张杨;曾一平
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法至大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。