专利详情

专利名称	具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法
申请号	CN201010225613.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102332530A	公开（授权）日	2012.01.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	徐成;宋志棠;刘波;吴关平
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法至具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法，该存储器单元包括衬底、位于衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的下电极、位于下电极之上的加热电极、位于加热电极上的相变材料层、位于相变材料层上的上电极；其加热电极为侧壁结构，相变材料层也为侧壁结构，并且所述相变材料层与所述加热电极相交，它们的夹角在30度到150度之间。制备时，通过在绝缘材料中开设沟槽，在沟槽中制备薄膜，然后去除多余材料保留沟槽侧壁上的薄膜从而形成侧壁结构。本发明的加热电极和相变材料采用相交的纳米侧壁结构，使它们的接触面非常小，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。