半导体器件结构及其制造方法
- 申请号：CN201010230771.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102332431A
- 公开(公开)日：2012.01.25
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 半导体器件结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010230771.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102332431A | 公开（授权）日 | 2012.01.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 |
| 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件结构及其制造方法 至半导体器件结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅电极线；在所述栅电极线外侧形成侧墙；在所述栅电极线两侧的半导体衬底上形成源/漏区；在所述栅电极线或源/漏区上形成接触孔；其中，在所述侧墙形成后至所述半导体器件结构的前道工艺完成之前，将所述栅电极线进行切割以形成电隔离的栅电极。本发明的实施例适用于集成电路制造。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言