一种非极性GaN薄膜的生长方法
- 申请号：CN200810200459.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号：CN101358337
- 公开(公开)日：2009.02.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法 | ||
| 申请号 | CN200810200459.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101358337 | 公开（授权）日 | 2009.02.04 |
| 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 |
| 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法 至一种非极性GaN薄膜的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种非极性氮化镓(GaN)薄膜的生长方法，其利用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)系统在铝酸锂(LiAlO2)衬底上合成生长GaN薄膜，其中，在生长GaN薄膜之 前，首先在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)，一方面起应力平衡的作 用，另一方面可以阻止衬底的分解，如Li的挥发等。 | ||
交易流程
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