一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法
- 申请号：CN201010227180.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102315123A
- 公开(公开)日：2012.01.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 | ||
| 申请号 | CN201010227180.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102315123A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黄俊;魏珂;刘新宇;刘果果;樊捷 |
| 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 至一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高GaN?HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性。 | ||
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