高速写入相变存储器及其高速写入方法
- 申请号：CN200810041415.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN101359504
- 公开(公开)日：2009.02.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 高速写入相变存储器及其高速写入方法 | ||
| 申请号 | CN200810041415.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101359504 | 公开（授权）日 | 2009.02.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 |
| 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
| 专利有效期 | 高速写入相变存储器及其高速写入方法 至高速写入相变存储器及其高速写入方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地 址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列 地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入 周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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过户资料
平台保障
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