专利详情

专利名称	绝缘体上锗硅衬底的制备方法
申请号	CN200810200072.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101359591	公开（授权）日	2009.02.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;张波;王曦
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	绝缘体上锗硅衬底的制备方法至绝缘体上锗硅衬底的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底； (b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；(d)退火，从而形成气孔层；(e)将氧离子注入至气孔层中；(f)退火，从而形成绝缘埋层。本发明的优点在于，采用起泡离子注入单晶硅衬底中，通过退火在单晶硅衬底与锗硅层之间形成气孔层，并将氧离子注入至气孔层中，退火后在气孔层的位置形成绝缘埋层。由于绝缘埋层均形成于单晶硅衬底而非锗硅层中，因此可以对锗的排出现象起到抑制的作用，并且所述的气孔层可以有效地束缚氧原子，有利于绝缘埋层的形成。