一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法
- 申请号：CN200810119967.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN101359702
- 公开(公开)日：2009.02.04
- 法律状态：授权
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 | ||
| 申请号 | CN200810119967.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101359702 | 公开（授权）日 | 2009.02.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 至一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法，步骤如下：在晶硅衬底(1)背面淀积 铝层(2)，利用阳极氧化将铝层(2)制成阳极氧化铝孔阵列(3)，生成的阳极氧化 铝孔要贯穿整个铝层，之后在阳极氧化铝孔阵列(3)上淀积背接触电极(4)，并进行 退火，使背接触电极(4)通过阳极氧化铝孔与晶硅衬底(1)形成欧姆接触。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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