专利详情

专利名称	一种纳米级相变存储单元阵列制备方法
申请号	CN200710044609.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101364567	公开（授权）日	2009.02.11
申请（专利权）人	上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;周伟民;李小丽;刘波;万永中;封松林
主分类号	H01L21/82(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	一种纳米级相变存储单元阵列制备方法至一种纳米级相变存储单元阵列制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。