专利详情

专利名称	一种非极性GaN薄膜及其生长方法
申请号	CN200810200458.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101364631	公开（授权）日	2009.02.11
申请（专利权）人	上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明
主分类号	H01L33/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I
专利有效期	一种非极性GaN薄膜及其生长方法至一种非极性GaN薄膜及其生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种非极性GaN薄膜及其生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO₂)衬底上，在N₂保护下，升温到800-900℃，生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量： 4E-6mole/min-3E-4mole/min，然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min- 1E-3mole/min，然后再升温到1150-1200℃，生长高温U-GaN约100nm，然后再降温到 1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温 U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。