一种p型ZnO薄膜制造方法
- 申请号：CN200810223688.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN101368288
- 公开(公开)日：2009.02.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种p型ZnO薄膜制造方法 | ||
| 申请号 | CN200810223688.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101368288 | 公开（授权）日 | 2009.02.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘尧平;张天冲;梅增霞;郭阳;杜小龙 |
| 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B31/02(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L21/40(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种p型ZnO薄膜制造方法 至一种p型ZnO薄膜制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用NaOH或LiOH作为掺杂剂的p型ZnO薄膜 制造方法，在外延生长ZnO的同时通过热蒸发掺入NaOH(LiOH)，在 ZnO薄膜中实现了Na-H或Li-H共掺，Na或Li原子在ZnO晶格中处于 替锌位NaZn或LiZn，不仅提高了Na或Li的固溶率，同时抑制了间隙位 的Nai或Lii的形成，降低了自补偿效应。再通过在活性氧气氛下的高 温退火工艺有效地去除薄膜中的H元素，实现了Na或Li的高效掺杂， 获得高质量、稳定的p型ZnO薄膜，可望用来制造高性能的ZnO基光 电子器件。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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