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MEMS光谱气敏传感器

  • 申请号:CN200710303888.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101470074B
  • 公开(公开)日:2010.08.18
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 MEMS光谱气敏传感器
申请号 CN200710303888.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101470074B 公开(授权)日 2010.08.18
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 高超群;刘茂哲;惠瑜;景玉鹏
主分类号 G01N21/35(2006.01)I IPC主分类号 G01N21/35(2006.01)I
专利有效期 MEMS光谱气敏传感器 至MEMS光谱气敏传感器 法律状态 授权
说明书摘要 本发明公开了一种MEMS光谱气敏传感器,利用光谱分析的手段实现目标气体的定性及定量分析。该传感器由目标气体放电发出的红外光在待测气体中的吸收量得到目标气体的浓度。该吸收量是由通过参比室的红外光光强与通过测量室的红外光光强之差确定。该传感器主要由射频发光管、目标气体特征吸收参比室(主参比室)、目标气体特征吸收测量室(主测量室)、非特征吸收测量室(副测量室)和非特征吸收参比室(副参比室)组成。主参比室和主测量室用于目标气体的浓度检验,副参比室和副测量室用于确定主测量室内的红外吸收是否是由干扰气体引起。利用本发明,解决了现有传感器选择性低、抗干扰能力差、寿命短的缺点,并且成本低廉,便于广泛使用。

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