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相变存储器

  • 申请号:CN200910200724.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN101783172A
  • 公开(公开)日:2010.07.21
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 相变存储器
申请号 CN200910200724.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101783172A 公开(授权)日 2010.07.21
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 丁晟;宋志棠
主分类号 G11C11/56(2006.01)I IPC主分类号 G11C11/56(2006.01)I
专利有效期 相变存储器 至相变存储器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明揭示了一种相变存储器,所述相变存储器包括数条存储翼plane;所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO,每个block对应一个FIFO;其中,n为相变存储器并行读写位数;plane与plane之间依靠数据总线、地址总线和控制总线连接;所述block包括存储阵列、行列译码器及驱动电路。本发明提出的相变存储器,可提高相变存储器写入速度。由于每一位独立地从FIFO中取得数据,所以每一位在进行RESET或SET操作时,不会如传统并行写入方式那样受其他位是否进行SET影响,由此减少了RESET操作之后的等待时间。

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