专利详情

专利名称	一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路
申请号	CN200910077527.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101783183A	公开（授权）日	2010.07.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	余兆安;龙世兵;刘明;张森;刘琦;柳江
主分类号	G11C29/08(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/08(2006.01)I
专利有效期	一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路至一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路，该限流电路至少包括电压比较器、单刀双掷模拟开关、RRAM器件和限流MOS管；其中，读写擦脉冲信号被分为两路输入到本电路中，一路信号输入到电压比较器中，用于区分读写擦电压，依据读写擦脉冲信号的操作电平来调节所述电压比较器的参考电压，并将所述电压比较器输出的电平作为所述单刀双掷模拟开关的控制信号，通过此控制信号，来决定在此操作电压下是否选通到所述限流MOS管支路或接地；另一路信号直接加到待测的RRAM器件上，提供操作电压。利用本发明，完成了对RRAM存储器的限流测试，并可靠地测出制备的存储器样片的性能指标，解决了RRAM存储器在脉冲测试方式下set过程的限流问题。