专利详情

专利名称	产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法
申请号	CN200910077525.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101783223A	公开（授权）日	2010.07.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	余兆安;贾锐;龙世兵;刘明;陈晨
主分类号	H01F7/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01F7/02(2006.01)I;G01R33/00(2006.01)I
专利有效期	产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法至产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种产生磁场的装置，放置于低温探针台的真空腔室内，为待测器件提供磁场，该装置利用低温探针台的样品托盘上两个对称的固定螺孔，安装两根平行且垂直放置的螺栓，将两根永磁铁分别套在螺栓上，并用螺冒来固定永磁铁的高度；在两根永磁铁之间，竖立一块用于粘贴待测样品的挡板，并在挡板上设置电极，使其与探针臂的探针相连接。本发明还公开了一种对低温探针台外加磁场的方法，在低温探针台样品托盘的固定螺孔上，竖立两根平行且垂直放置的螺栓，将两根永磁铁分别套在螺栓上，并用螺冒来固定永磁铁的高度。利用本发明，扩充了原有低温探针台的使用范围，能研究新型磁性材料及磁场对电子输运性质的影响。