抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法
- 申请号：CN200910077522.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101783298A
- 公开(公开)日：2010.07.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 | ||
| 申请号 | CN200910077522.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101783298A | 公开（授权）日 | 2010.07.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
| 专利有效期 | 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 至抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种抑制高介电常数(k)栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法，该方法包括：在硅衬底上生长SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积金属栅电极；以及在金属栅电极上沉积一层多晶硅帽层。利用本发明，可以达到在高温条件下阻止退火环境中的氧分子扩散到SiO2/Si界面，进而与Si衬底反应生成SiO2层的目的。 | ||
交易流程
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