专利详情

专利名称	一种化学机械抛光用磨料及其制备方法
申请号	CN200810201230.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101372560	公开（授权）日	2009.02.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	汪海波;刘卫丽;宋志棠;封松林
主分类号	C09C1/68(2006.01)I	IPC主分类号	C09C1/68(2006.01)I;C09C3/06(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I
专利有效期	一种化学机械抛光用磨料及其制备方法至一种化学机械抛光用磨料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法，用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO₂磨料稀释成浓度10％(质量分数)以下，作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解，然后加入酸在90-100℃陈化，制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10％以下，通过强阳离子交换树脂，制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中，加入一定量碱，控制pH值在8-11之间，恒温加热并剧烈搅拌，陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中，硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围；提高化学机械抛光的应用范围；能够改善表面化学性质。