专利详情

专利名称	硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液
申请号	CN200810201175.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101372606	公开（授权）日	2009.02.25
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王良咏;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	C09G1/02(2006.01)I	IPC主分类号	C09G1/02(2006.01)I
专利有效期	硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液至硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准，包含0.01-5wt％的氧化剂、0.01-4wt％的表面活性剂、0.01-3wt％的有机添加剂、0.2-30wt％的氧化铈抛光颗粒及pH调节剂、水性介质。此抛光液主要应用于硫系化合物相变材料 Ge_xSb_yTe_(1-x-y)的CMP工艺。通过本发明提供的氧化铈化学机械抛光液，相变材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y) 的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min，同时表面粗糙度降低到了7.4 以下。利用上述抛光液对相变材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。