专利详情

专利名称	用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
申请号	CN200710120612.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101373714	公开（授权）日	2009.02.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	闫发旺;高海永;樊中朝;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖;王军喜;张扬
主分类号	H01L21/308(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/308(2006.01)I
专利有效期	用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法至用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。