专利详情

专利名称	一种电子束对准标记的制作方法
申请号	CN200710121502.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101383268	公开（授权）日	2009.03.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李诚瞻;黄俊;郑英奎;刘果果;和致经;魏珂;刘新宇
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种电子束对准标记的制作方法至一种电子束对准标记的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀； D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。