专利详情

专利名称	一种制备单电子晶体管的方法
申请号	CN200710121366.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101383285	公开（授权）日	2009.03.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	一种制备单电子晶体管的方法至一种制备单电子晶体管的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种利用 Undercut技术制备单电子晶体管的方法，在SOI衬底上利用电子束曝光双层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：离子注入及快速退火；双层胶电子束光刻，形成单电子晶体管图形；蒸发金属，剥离干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上，减小隧道结尺寸；光刻；蒸发金属，剥离，合金；采用这种方法制备的基于SOI衬底的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点，并简化了制作工艺，解决了在电子束曝光过程中由于邻近效应影响无法实现小尺寸隧道结的问题。