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一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法

  • 申请号:CN200710045700.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN101383305
  • 公开(公开)日:2009.03.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法
申请号 CN200710045700.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101383305 公开(授权)日 2009.03.11
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 郭旭光;曹俊诚
主分类号 H01L21/66(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/66(2006.01)I
专利有效期 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 至一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法,其特征在于 利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂,用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒 高,对耦合多量子阱进行测量。并以Zn0.8Cd0.2/ZnSe对称耦合三量子阱为例, 在理论上对实验方案的有效性进行了验证。利用本发明提供的方法,有效地 降低了样品制备的要求和工作量,提高了实验精度。

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