专利详情

专利名称	一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法
申请号	CN200710121369.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101383388	公开（授权）日	2009.03.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法至一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。