专利详情

专利名称	一种铁基化合物超导体的制备方法
申请号	CN200810224178.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101386529	公开（授权）日	2009.03.18
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	齐彦鹏;高召顺;王雷;王栋樑;张现平;马衍伟
主分类号	C04B35/00(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/00(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I
专利有效期	一种铁基化合物超导体的制备方法至一种铁基化合物超导体的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种铁基化合物超导体的制备方法，包括以下步骤： (1)将按照ReMPnO_1-xF_x或ReM_1-xTm_xPnO或Ae_1-xA_xM₂Pn₂中的一种化学式配制的原料粉末混合均匀后，装入金属管，充分夯实，然后封闭金属管的两端； (2)将金属管按照5％-20％的道次变形量进行旋锻、拉拔、轧制加工； (3)将经步骤2加工所得的金属管置于高温加热炉中，于室温下抽真空至10^-2-10^-5帕，之后充入氩气，然后在700-1500℃的温度下保温5-100小时，最后待高温炉冷却至室温，剥开金属包套得到铁基化合物新型超导体。与目前通常的石英玻璃两步制备方法相比，本方法可以有效的避免炸裂，安全可靠，烧结过程一步完成，工艺简单且生产效率高，制备的铁基化合物密度较高并且具有良好的超导性能。