
一种聚(3-丁基噻吩)嵌段共聚物及其制备方法
- 申请号:CN200810051166.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN101386672
- 公开(公开)日:2009.03.18
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 一种聚(3-丁基噻吩)嵌段共聚物及其制备方法 | ||
申请号 | CN200810051166.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101386672 | 公开(授权)日 | 2009.03.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 杨小牛;李思均;曲云鹏;李慧 |
主分类号 | C08F293/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C08F293/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种聚(3-丁基噻吩)嵌段共聚物及其制备方法 至一种聚(3-丁基噻吩)嵌段共聚物及其制备方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种聚(3-丁基噻吩)嵌段共聚物及其制备方法。通过 使用原子转移自由基聚合的方法合成了一种聚(3-丁基噻吩)嵌段共 聚物。共聚物的分子量从Mn=9000~40000。共聚物中两嵌段的含量 可通过化学方法调控,共聚物具有良好的分子量分布(1.05<PDI<3), 反应时间为1.5小时~30小时,共聚物中聚苯乙烯,聚甲基丙烯酸 酯类和聚异戊二烯的含量为15%~80%。共聚物在机械性能,成膜 性等方面,均好于纯的聚3丁基噻吩。在聚合物发光二极管,聚合物 太阳能电池,聚合物场效应管,电化学器件等领域具有应用前景。 |
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