专利详情

专利名称	基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料
申请号	CN200810223525.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101386984	公开（授权）日	2009.03.18
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;胡承刚;赵泽宇;陈旭南
主分类号	C23C28/00(2006.01)I	IPC主分类号	C23C28/00(2006.01)I;C23F17/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23G1/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/36(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料至基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：选择石英基片并将表面抛光，在其表面蒸镀SiO₂膜；在SiO₂膜表面蒸镀铬膜，在铬膜上涂覆光刻胶层；采用电子束光刻方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀裸露铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作掩模，在SiO₂膜上刻蚀介质光栅结构，去除铬膜；采用侧向真空沉积技术，在SiO₂光栅结构一侧侧向沉积厚度h金属层；同样在SiO₂光栅结构另一侧沉积相同厚度的金属层，形成顶部厚度2h，侧壁宽度h的“Π”形金属结构，基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。本发明具有制作简便，单层损耗小，单层正入射以及双频的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有启示的意义以及很大的应用前景。