专利详情

专利名称	一种培育蜡质减少的转基因植物的方法
申请号	CN201010610602.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102168083A	公开（授权）日	2011.08.31
申请（专利权）人	中国科学院遗传与发育生物学研究所	发明（设计）人	程祝宽;覃宝祥;李明;唐丁;王克剑
主分类号	C12N15/11(2006.01)I	IPC主分类号	C12N15/11(2006.01)I;C12N15/63(2006.01)I;C12N15/82(2006.01)I;C07K14/415(2006.01)I;C12N15/29(2006.01)I
专利有效期	一种培育蜡质减少的转基因植物的方法至一种培育蜡质减少的转基因植物的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种培育蜡质减少的转基因植物的方法。该培育蜡质减少的转基因植物的方法，包括如下步骤：使出发植物中的SEQ?ID?NO：1所示蛋白的编码基因的功能丧失，得到蜡质减少的转基因植物。本发明基因影响叶片蜡质形成，是一个控制叶片蜡质形成的基因，具体是对叶片蜡质形成起正调控作用。本发明基因对了解水稻叶片蜡质形成的机制具有重要的应用价值，可以探索将其用于水稻育种，通过基因工程手段改良水稻叶表皮性状从而提高抗旱能力。此外，本发明的基因和蛋白控制表皮蜡质的含量，表皮蜡质的含量会影响水稻叶片GUS染色的效果，降低表皮蜡质的含量可以增强水稻叶片GUS染色的效果，因此可利用该基因来培育检测外源基因在叶片表达情况的转基因实验材料。