专利详情

专利名称	制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法
申请号	CN200810202084.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101388331	公开（授权）日	2009.03.18
申请（专利权）人	上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	欧欣;王曦;张苗
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法至制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通道；将单晶硅衬底在含氧气氛中进行退火。本发明的优点在于，在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，缺陷空洞层作为氧化硅团聚体形核提供了高密度的形核中心，加速了氧化硅团聚体的形核和长大，减少或完全代替注氧隔离工艺(SIMOX)中形成连续二氧化硅绝缘埋层中氧的注入剂量。同时，缺陷空洞层中的空体积将吸收由于氧化硅团聚体形成而产生的体积膨胀效应，减少顶层硅与BOX层界面的应力，提高SOI材料的质量。