在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法
- 申请号：CN200710121658.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101388345
- 公开(公开)日：2009.03.18
- 法律状态：授权
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN200710121658.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101388345 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平 |
| 主分类号 | H01L21/36(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/36(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 至在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征 在于，包括以下步骤：步骤1：取一金属衬底；步骤 2：对金属衬底进行抛光，以获得较光滑的表面；步 骤3：将抛光后的金属衬底表面清洗干净；步骤4： 将清洗干净的金属衬底放入生长设备中，在金属衬底 上生长缓冲层；步骤5：在缓冲层上生长ZnO薄膜， 完成在金属衬底上ZnO薄膜的制备。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言