专利详情

专利名称	一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法
申请号	CN201210284501.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102757043A	公开（授权）日	2012.10.31
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	刘立伟;龚佑品;龙明生;高嵩;朱超;耿秀梅
主分类号	C01B31/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法至一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法。作为优选方案之一，该方法包括如下步骤：（1）在经抛光处理的衬底表面沉积纳米金属催化剂颗粒；（2）在所述衬底表面生长定向排布的碳纳米管；（3）在所述衬底表面沉积薄层氢前金属薄膜；（4）以酸性溶液处理所述衬底表面，将所述碳纳米管沿轴向剖开形成石墨烯纳米带阵列。本发明工艺简单，易于实施，且所制得的GNR具有高的定向性、高的密度、低的面内缺陷密度和边缘无序、高的电子迁移率，且GNR阵列的密度等还可以通过定向碳管的生长工艺以及刻蚀工艺来控制，同时，基于该GNR阵列的器件还具有良好电学传导性能，在自旋电子学、传感器、晶体管等领域具有重要应用前景。