专利详情

专利名称	一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途
申请号	CN200710122198.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101393963	公开（授权）日	2009.03.25
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王琰;韩秀峰;张晓光
主分类号	H01L43/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/10(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/82(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I
专利有效期	一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途至一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种单晶NaCl势垒磁性隧道结，其包括的核心膜层中的隧道结势垒层为NaCl(001)单晶绝缘材料组成。该隧道结可以是单势垒的，也可以是双势垒的。本发明提供的单晶NaCl(001)磁性隧道结可以应用于新型自旋电子器件设计，例如可用于高灵敏度的磁敏、电敏、光敏和气敏传感器、磁性随机存取存储器(MRAM)存储单元、磁逻辑、或自旋晶体管等器件单元。本发明采用单晶NaCl(001)作为磁性隧道结的中间势垒层，在有效提高隧道结隧穿磁电阻比值的同时能够得到较小的结电阻，并且降低了器件应用上的功耗。同时单晶NaCl(001)势垒材料的制备工艺简单，成本更加低廉，同时还是资源丰富和环境友好的材料。