专利详情

专利名称	TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法
申请号	CN200810223349.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101397499	公开（授权）日	2009.04.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	C09K13/00(2006.01)I	IPC主分类号	C09K13/00(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I
专利有效期	TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法至TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是关于一种TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法。该TaN 材料腐蚀溶液，以重量百分比计包括：NH₄OH：1.47％-7.26％； H₂O₂： 3.00％-24.91％；以及余量的水。所述的TaN材料腐蚀方法，是对于厚度小于400埃的TaN可采用光刻胶作为掩膜，先以重量百分含量为3.25％-10.44％的HF、7.17％-21.95％的HNO₃以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀，再以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH₄OH，3.00％-24.91％的H₂O₂以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀；对于厚度大于400埃的TaN，必须采用硬掩膜，直接以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH₄OH，3.00％-24.91％的 H₂O₂以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀。