专利详情

专利名称	一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
申请号	CN200810223342.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101399184	公开（授权）日	2009.04.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘训春;王佳;周宗义;李兵;王建海;黄清华
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I
专利有效期	一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统至一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。