非挥发存储器的制备方法
- 申请号：CN200810223341.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101399208
- 公开(公开)日：2009.04.01
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 非挥发存储器的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200810223341.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101399208 | 公开（授权）日 | 2009.04.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱晨昕;贾锐;陈晨;李维龙;李昊峰;王琴;刘明 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
| 专利有效期 | 非挥发存储器的制备方法 至非挥发存储器的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半 导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪 粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层； 在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电 极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器 的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。 | ||
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