专利详情

专利名称	非挥发存储器的制备方法
申请号	CN200810223345.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101399209	公开（授权）日	2009.04.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱晨昕;贾锐;李维龙;陈晨;李昊峰;王琴;刘明
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	非挥发存储器的制备方法至非挥发存储器的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A.在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B.在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C. 进行形成台面的工序；D.进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型 MOS器件制作工艺相兼容的流程最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。