专利详情

专利名称	全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法
申请号	CN200710122480.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101399227	公开（授权）日	2009.04.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王立新
主分类号	H01L21/8234(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法至全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制作全自对准条型栅功率DMOS晶体管的方法，包括：A.在衬底上生长外延，然后进行场区氧化，形成场氧化层；B.刻蚀有源区的场氧化层，进行栅氧化，淀积多晶硅，对淀积的多晶硅进行掺杂；C.对掺杂后的多晶硅进行光刻、刻蚀，硼注入，高温推进形成P-阱区；D.对多晶硅进行砷注入形成浅源区，然后淀积并反刻形成侧墙；E.对多晶硅进行硼注入，并淀积钴膜，形成钴的硅化物，利用钴的硅化物形成P-阱接触；F.进行硼磷硅玻璃淀积，光刻与刻蚀引线孔；G.金属溅射并进行光刻与刻蚀。利用本发明，简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了功率DMOS晶体管的工作频率。