专利详情

专利名称	氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
申请号	CN200710122478.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101399284	公开（授权）日	2009.04.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;唐健;肖红领;王翠梅;冉学军;胡国新;李晋敏
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	氮化镓基高电子迁移率晶体管结构至氮化镓基高电子迁移率晶体管结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温成核层制作在衬底的上面；一氮化镓高阻层制作在低温成核层的上面；一铟镓氮插入层制作在氮化镓高阻层的上面；一低温氮化镓隔离层制作在铟镓氮插入层的上面；一高迁移率氮化镓层制作在低温氮化镓隔离层的上面；一氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓层的上面；一铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层的上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在铝镓氮势垒层的上面，该氮化镓帽层有效抑制了电流崩塌效应。