专利详情

专利名称	提升相变存储器编程速度的方法及实现方法
申请号	CN200810202405.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101404179	公开（授权）日	2009.04.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;丁晟;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I
专利有效期	提升相变存储器编程速度的方法及实现方法至提升相变存储器编程速度的方法及实现方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所述的全局性的SET编程操作使所有的存储单元或者存储单元块都处于数据“1”状态。本发明还包括全局SET法的电路实现：在读、写、擦操作完成后的固有时间内监测是否有下一读、写、擦操作，如果有，则认为存储器繁忙，不进行全局SET；如果没有，则认为存储器空闲，此时启动全局SET操作。