专利详情

专利名称	一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN200810225453.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101404321	公开（授权）日	2009.04.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	商立伟;刘明;涂德钰;刘舸;刘兴华
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法至一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了垂直沟道有机场效应晶体管，属于有机微电子学领域。该结构包括绝缘衬底上的金属源电极、栅介质层、绝缘层、有机半导体层、栅电极和金属漏电极。其中长条状的栅电极被介质层和有机半导体材料包围在器件的最中心。源电极和漏电极均为平面电极。通过把沟道方向从水平转变为垂直，只需要控制薄膜的生长厚度就能够有效控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，为制备短沟有机场效应晶体管提供了一个简便的低成本的方法。本发明还提供了一种垂直沟道有机场效应晶体管结构的制备方法。