专利详情

专利名称	振动场下晶体生长装置和生长方法
申请号	CN200810040954.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101407940	公开（授权）日	2009.04.15
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘岩;艾飞;潘秀红;张英;金飞;高国忠;冯楚德;金蔚青
主分类号	C30B30/06(2006.01)I	IPC主分类号	C30B30/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	振动场下晶体生长装置和生长方法至振动场下晶体生长装置和生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法，所述的生长装置包括炉体 (1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6) 和导向杆(7)，其中炉体(1)竖直放置，样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动，样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器 (4)上；传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接，并带动炉体(1) 沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上，沿导向杆(7)的轴向上下移动，传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场，可以有效控制熔体中的对流，改变固液界面形状，通过探索最佳工艺参数，提高晶体品质和成品率。