专利详情

专利名称	一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法
申请号	CN200810227958.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101409311	公开（授权）日	2009.04.15
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张天冲;郭阳;梅增霞;顾长志;杜小龙
主分类号	H01L31/109(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法至一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法。该器件结构包括：p-Si衬底；MgO绝缘层；n-ZnO基薄膜层；n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤：在清洁的Si衬底上用外延生长设备生长MgO绝缘层，并在MgO上生长 n-ZnO基薄膜层；用公知的光刻技术和公知的金属薄膜沉积方法，在 n-ZnO基薄膜层上沉积n型欧姆接触电极；在Si衬底背面沉积p型欧姆接触电极。利用这种方法，能够在廉价并且具有成熟集成工艺的半导体硅衬底上制备出高性能可见盲紫外光电探测器。